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NTE21128

更新时间： 2024-11-08 22:49:55

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NTE		存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器
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Integrated Circuit NMOS, 128K (16K x 8) UV EPROM

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NTE21128 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP-28	针数：	28
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.61	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	250 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDIP-T28
JESD-609代码：	e0	内存密度：	131072 bit
内存集成电路类型：	UVPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	16384 words	字数代码：	16000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP28,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	编程电压：	21 V
认证状态：	Not Qualified	子类别：	EPROMs
最大压摆率：	0.1 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	NMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

NTE21128 数据手册

NTE21128

Integrated Circuit

NMOS, 128K (16K x 8) UV EPROM

Description:

The NTE21128 is a 131,072 bit UV erasable and electrically programmable memory EPROM in a

28–Lead DIP type package organized as 16,384 words by 8 bits. The transparent lid allows the user

to expose the chip to ultraviolet light to erase the bit pattern. A new pattern can then be written to the

device by following the programming procedure.

Features:

D Access Time: 250ns

D Single 5V Supply Voltage

D Low Standby Current: 40mA Max

D TTL Compatible During Read and Program

D Fast Programming Algorithm

D Programming Voltage: 12V Typ

Absolute Maximum Ratings:

Supply Voltage, V_CC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.6V to 6.25V

Program Supply, V_PP. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.6V to 14V

A9 Voltage, V_A9. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.6V to 13.5V

Input or Output Voltages, V_IO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.6V to 6.25V

Ambient Operating Temperature, T_A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0° to +70°C

Temperature Under Bias, T_BIAS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –10° to +80°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +125°C

Note 1. Except for the rating “Operating Temperature Range”, stresses above those listed in the

table “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These are

stress ratings only and operation of the device at these or any other conditions above those

indicated in the Operating sections of this specification is not implied. Exposure to Absolute

Maximum Rating conditions for extended periods may affect device reliability.

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