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NTE211 PDF预览

NTE211

更新时间： 2024-11-09 04:00:19
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体晶体管功率双极晶体管开关驱动局域网
页数 文件大小 规格书
2页 25K
描述
Silicon Complementary Transistors General Purpose Output & Driver

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NTE211 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.74
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：75 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：10
JEDEC-95代码：TO-202JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：6.25 W最大功率耗散 (Abs)：6.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：75 MHz
Base Number Matches：1

NTE211 数据手册

 浏览型号NTE211的Datasheet PDF文件第2页 
NTE210 (NPN) & NTE211 (PNP)  
Silicon Complementary Transistors  
General Purpose Output & Driver  
Description:  
The NTE210 (NPN) and NTE211 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO202 type pack-  
age designed for general purpose, medium voltage, medium power amplifier and driver applications  
such as series, shunt and switching regulators, and low and high frequency inverters and converters.  
Features:  
D TO202 Type Package: 2W Free Air Dissipation @ TA = +25°C  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75V  
Collector–Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V  
Collector Current, IC  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A  
Peak (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A  
Total Power Dissipation (TA = +25°C, Note 2), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.67W  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13.3mW/°C  
Total Power Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.25W  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mW/°C  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Lead Temperature (During Soldering, 1/16” from case, 10sec), TL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +260°C  
Maximum Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75°C/W  
Maximum Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20°C/W  
Note 1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs.  
Note 2. The actual power dissipation capability of the TO202 type package is 2W @ TA = +25°C.  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Typ Max Unit  
OFF Characteristics  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
V
I = 10mA, I = 0  
75  
–
–
–
–
–
V
(BR)CEO  
C
B
I
V
CE  
EB  
= 90V  
= 5V  
100  
100  
nA  
nA  
CES  
Emitter Cutoff Current  
I
V
–
EBO  
12

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NTE211 替代型号

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