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NTE21

更新时间： 2024-09-16 10:30:27
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体小信号双极晶体管开关
页数 文件大小 规格书
2页 23K
描述
Silicon Complementary Transistors High Power, Low Collector Saturation Voltage Power Output

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NTE21 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.74最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：32 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：135 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

NTE21 数据手册

 浏览型号NTE21的Datasheet PDF文件第2页 
NTE20 (NPN) & NTE21 (PNP)  
Silicon Complementary Transistors  
High Power, Low Collector Saturation Voltage  
Power Output  
Features:  
D High Power in a Compact ATR Package: PO = 1W  
Applications:  
D Regulated Power Supplies  
D 1 to 2W Output Stages  
D Drivers  
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V  
Collector Current, IC  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A  
Pulse  
NTE20 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5A  
NTE21 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.0A  
Collector Dissipation, PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W  
Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +135°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +135°C  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
Collector–Base Breakdown Voltage  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
32  
40  
5
Typ Max Unit  
V
I = 1mA  
–
–
–
–
V
V
(BR)CEO  
(BR)CBO  
C
V
I = 50µA  
C
V
I = 50µA  
–
–
V
(BR)EBO  
E
I
V
CB  
V
EB  
V
CE  
= 20V  
= 4V  
–
–
1
µA  
µA  
CBO  
Emitter Cutoff Current  
I
–
–
1
EBO  
DC Current Gain  
h
FE  
= 3V, I = 500mA  
120  
–
–
270  
–
C
Collector Saturation Voltage  
Transition Frequency  
V
CE(sat)  
I = 2A, I = 200mA  
500  
100  
50  
mV  
MHz  
pF  
C
C
f
T
V
= 5V, I = 500mA  
–
–
CE  
CB  
C
Output Capacitance  
C
ob  
V
= 10V, f = 1MHz  
–
–
12

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