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NTE2078 PDF预览

NTE2078

更新时间： 2024-11-08 22:54:19
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NTE 晶体晶体管达林顿晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 23K
描述
Integrated Circuit 5-Stage Darlington Transistor Array

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NTE2078 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.82最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：DARLINGTON
JESD-30 代码：R-PDIP-T14JESD-609代码：e0
元件数量：5端子数量：14
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTE2078 数据手册

 浏览型号NTE2078的Datasheet PDF文件第2页 
NTE2078  
Integrated Circuit  
5–Stage Darlington Transistor Array  
Description:  
The NTE2078 is a 5–channel sink driver consisting of 10 NPN transistors connected to form high current  
gain driver pairs.  
Features:  
D Output sustaining voltage to 30V  
D High Output Sink Current to 500mA  
D Wide Operating Temperature Range (TA = –20° to +75°C)  
Application:  
D Relay and printer drivers  
D LED or incandescent display digit driver  
D Interface for standard MOS/Bi POLAR logics.  
Absolute Maximum Ratings: (TA = –20° to +75°C, unless otherwise specified)  
Output Sustaining Voltage (Transistor OFF), VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.5 to 30V  
Collector Current (Transistor ON), IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA  
Power Dissipation (TA = +25°C), Pd . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.47W  
Operating Ambient Temperature Range, Topr . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –20° to +75°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +125°C  
Electrical Characteristics: (TA = –20° to +75°C, Note 1, unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
Output Sustaining Voltage  
Output Saturation Voltage  
V(BR)CEO ICEO = 100µA  
VCE(sat) VI = 2mA, IC = 400mA  
VI = 1mA, IC = 200mA  
30  
–
–
–
V
V
1.0 2.4  
0.8 1.6  
–
Input Voltage  
VI  
II = 1mA  
0.6 1.35 1.7  
30  
V
V
Output Voltage  
VO  
0
–
Note 1. All typical values are at TA = 25°C.  
12

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