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NTE2023

更新时间： 2024-11-04 22:50:51

品牌	Logo	应用领域
NTE		显示驱动器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	22K
描述
Integrated Circuit General Purpose, High Current 7-Segment Display Driver

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NTE2023 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP-16	针数：	16
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	显示模式：	SEGMENT
接口集成电路类型：	LED DISPLAY DRIVER	JESD-30 代码：	R-PDIP-T16
复用显示功能：	NO	功能数量：	1
区段数：	7	端子数量：	16
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

NTE2023 数据手册

NTE2023

Integrated Circuit

General Purpose, High Current

7–Segment Display Driver

Description:

The NTE2023 is a general purpose high current transistor array in a 16–Lead DIP type package com-

prised of seven high current silicon NPN transistor on a common monolithic substrate. It is connected

in a common–collector configuration.

Absolute Maximum Ratings:

Power Dissipation (Any One Transistor), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW

Operating Ambient Temperature Range, T_opr. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +85°C

Individual Transistor Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16V

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V

Collector–Substrate Voltage, V_CIO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA

Base Current, I_B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mA

Note 1. The collector of each transistor in the NTE2023 is isolated from the substrate by an integral

diode. The substrate must be connected to a voltage which is more negative than any collec-

tor voltage so as to maintain isolation between transistors, and to provide normal transistor

action. Undesired coupling between transistors is avoided by maintaining the substrate (5)

at either DC or signal (AC) ground. An appropriate bypass capacitor can be used to establish

a signal ground.

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

Collector–Emitter Breakdown Voltage V_(BR)CESI_C= 500µA

Collector–Substrate Breakdown Voltage V_(BR)CIEI_CI= 500µA

Collector–Emitter Breakdown Voltage V_(BR)CEOI_C= 1mA

–

Emitter–Base Breakdown Voltage

Forward Current Transfer Ratio

V_(BR)EBOI_C= 500µA

V_CE= 0.5V, I_C= 30mA

V_CE= 0.8V, I_C= 50mA

h_FE

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