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NTE20

更新时间： 2024-11-17 22:50:51

品牌	Logo	应用领域
NTE		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	23K
描述
Silicon Complementary Transistors High Power, Low Collector Saturation Voltage Power Output

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NTE20 数据手册

NTE20 (NPN) & NTE21 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

High Power, Low Collector Saturation Voltage

Power Output

Features:

D High Power in a Compact ATR Package: P_O= 1W

Applications:

D Regulated Power Supplies

D 1 to 2W Output Stages

D Drivers

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

Pulse

NTE20 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5A

NTE21 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.0A

Collector Dissipation, P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W

Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +135°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +135°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector–Emitter Breakdown Voltage

Collector–Base Breakdown Voltage

Emitter–Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

Symbol

Test Conditions

Min

Typ Max Unit

I = 1mA

–

(BR)CEO

(BR)CBO

I = 50µA

–

(BR)EBO

= 20V

= 4V

–

µA

CBO

Emitter Cutoff Current

–

EBO

DC Current Gain

= 3V, I = 500mA

120

–

270

–

Collector Saturation Voltage

Transition Frequency

CE(sat)

I = 2A, I = 200mA

500

100

MHz

= 5V, I = 500mA

–

Output Capacitance

= 10V, f = 1MHz

–

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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