NTE197

更新时间： 2024-09-17 04:36:03

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NTE		晶体开关晶体管功率双极晶体管局域网
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描述
Silicon Complementary Transistors Audio Power Output and Medium Power Switching

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NTE197 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SFM
包装说明：	TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	1.66
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	7 A	集电极-发射极最大电压：	70 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	2.3
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	50 W	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	10 MHz
Base Number Matches：	1

NTE197 数据手册

NTE196 (NPN) & NTE197 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

Audio Power Output and Medium Power Switching

Description:

The NTE196 (NPN) and NTE197 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO220 type pack-

age designed for use in general purpose amplifier and switching applications.

Features:

D DC Current Gain Specified to 7 Amps: h_FE= 2.3 Min @ I_C= 7A

D Collector–Emitter Sustaining Voltage: V_CEO(sus)= 70V Min

D High Current–Gain Bandwidth Product:

f_T= 4MHz Min @ I_C= 500mA (NTE196)

= 10MHz Min @ I_C= 500mA (NTE197)

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70V

Collector–Base Voltage, V_CB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V

Emitter–Base Voltage, V_EB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7A

Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A

Base Current, I_B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3A

Total Power Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.32W/°C

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.125°C/W

Electrical Characteristics: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

OFF Characteristics

Collector–Emitter Sustaining Voltage V_CEO(sus)I_C= 100mA, I_B= 0, Note 1

–

Collector Cutoff Current

I_CEO

I_CEX

V_CE= 60V, I_B= 0

1.0 mA

100 µA

2.0 mA

1.0 mA

V_CE= 80V, V_EB(off)= 1.5V

V_CE= 80V, V_EB(off)= 1.5V, T_C= +150°C

V_BE= 5V, I_C= 0

–

Emitter Cutoff Current

I_EBO

–

Note 1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.

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