NTE195A

更新时间： 2024-09-08 22:54:23

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NTE		晶体驱动器放大器晶体管功率双极晶体管射频功率放大器
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2页	27K
描述
Silicon NPN Transistor RF Power Amp/Driver, CB

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NTE195A 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-39
包装说明：	TO-39, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	2.13
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-39
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	8 W
最大功率耗散 (Abs)：	8 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

NTE195A 数据手册

NTE195A

Silicon NPN Transistor

RF Power Amp/Driver, CB

Description:

The NTE195A is designed primarily for use in large–signal output amplifier stages. Intended for use

in Citizen–Band communications equipment operating to 30MHz. High breakdown voltages allow a

high percentage of up–modulation in AM circuits.

Features:

D Specified 12.5V, 28MHz Characteristic:

Power Output = 3.5W

Power Gain

Efficiency

= 10dB

= 70% Typical

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CER. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70V

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.0V

Collector Current–Continuous, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5A

Total Device Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8W

Derate above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28.6mW/°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C, unless otherwise specified)

Parameter

OFF Characteristics

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

Collector–Emitter Breakdown Voltage

Emitter–Base Breakdown Voltage

I = 200mA, V = 0

–

(BR)CES

I = 1mA, I = 0

E C

(BR)EB

Collector Cutoff Current

ON Characteristics

DC Current Gain

= 15V, I = 0

–

0.01 mA

CBO

= 2V, I = 400mA

–

Dynamic Characteristics

Capacitance

= 12.5V, I = 0, f = 1MHz

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