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NTE194 PDF预览

NTE194

更新时间： 2024-11-22 22:54:23
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体放大器小信号双极晶体管开关功率放大器
页数 文件大小 规格书
2页 25K
描述
Silicon NPN Transistor Audio Power Amplifier

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NTE194 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：2.15最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：160 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

NTE194 数据手册

 浏览型号NTE194的Datasheet PDF文件第2页 
NTE194  
Silicon NPN Transistor  
Audio Power Amplifier  
Description:  
The NTE194 is a silicon NPN amplifier transistor packaged in a standard TO92 case.  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160V  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 180V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V  
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mA  
Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350mW  
Derate above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.8mW/°C  
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0W  
Derate above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8.0mW/°C  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125°C/W  
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient (Note 1), RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 357°C/W  
Note 1 RthJA is measured with the device soldered into a typical printed circuit board.  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
OFF Characteristics  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
Collctor–Base Breakdown Voltage  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
V
I = 1mA, I = 0, Note 2  
180  
180  
6
–
–
–
–
–
–
–
–
V
V
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
C
B
V
V
I = 100µA, I = 0  
C E  
I = 10µA, I = 0  
–
V
E
C
I
V
= 120V, I = 0  
–
50  
50  
50  
nA  
nA  
nA  
CBO  
CB  
CB  
EB  
E
V
V
= 120V, I = 0, T = +100°C  
–
E
A
Emitter Cutoff Current  
I
= 4V, I = 0  
–
EBO  
C
Note 2 Pulse Test: Pulse Width = 300µs, Duty Cycle = 2.0%.  
12

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NTE194 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CXT5551-TP MCC

功能相似

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C
2N5551S KEC

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 EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, HIGH VOLTAGE)

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