NTE193A

更新时间： 2024-11-22 23:54:51

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NTE		晶体小信号双极晶体管开关局域网
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NTE193A 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-92HS
包装说明：	TO-92HS, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	2.12
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	180	JESD-30 代码：	O-PBFM-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.6 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz	Base Number Matches：	1

NTE193A 数据手册

NTE192 (NPN) & NTE193 (PNP)

NTE192A (NPN) & NTE193A (PNP)

Silicon Complementary Transistors

Audio Power Output

Description:

NTE192 (NPN)/NTE193 (PNP) and NTE192A (NPN)/NTE193A (PNP) are silicon complementary

transistors in a TO92HS type package designed for use in general purpose industrial circuits. These

devices are especially suited for high level linear amplifiers or medium speed switching circuits in

industrial control applications.

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Continuous Collector Current (Note 1), I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA

Total Power Dissipation (T_C= +25°C, Note 1), P_T. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900mW

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7.2mW/°C

Total Power Dissipation (T_A= +25°C), P_T. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 560mW

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.47mW/°C

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Lead Temperature (During Soldering, 1/16” ±1/32” from case for 10sec max), T_L. . . . . . . . +260°C

Note 1. Determined from power limitations due to saturation voltage at this current.

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

DC Characteristics

Collector Cutoff Current

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

I_CBO

V_CB= 50V

–

0.1

µA

V_CB= 50V, T_A= +100°C

Emitter Cutoff Current

Collector Saturation Voltage

Base Saturation Voltage

DC Current Gain

I_EBO

V_EB= 5V

–

0.1

V_CE(sat)I_B= 3mA, I_C= 50mA

V_BE(sat)I_B= 3mA, I_C= 50mA

–

0.30

0.85

540

–

h_FE

V_CE= 4.5V, I_C= 2mA

180

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