NTE193

更新时间： 2024-11-18 23:54:51

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NTE		晶体小信号双极晶体管开关局域网
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NTE193 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-92HS
包装说明：	TO-92HS, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	2.12
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	180	JESD-30 代码：	O-PBFM-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	1 W	最大功率耗散 (Abs)：	0.7 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	120 MHz
Base Number Matches：	1

NTE193 数据手册

NTE192 (NPN) & NTE193 (PNP)

NTE192A (NPN) & NTE193A (PNP)

Silicon Complementary Transistors

Audio Power Output

Description:

NTE192 (NPN)/NTE193 (PNP) and NTE192A (NPN)/NTE193A (PNP) are silicon complementary

transistors in a TO92HS type package designed for use in general purpose industrial circuits. These

devices are especially suited for high level linear amplifiers or medium speed switching circuits in

industrial control applications.

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Continuous Collector Current (Note 1), I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA

Total Power Dissipation (T_C= +25°C, Note 1), P_T. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900mW

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7.2mW/°C

Total Power Dissipation (T_A= +25°C), P_T. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 560mW

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.47mW/°C

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Lead Temperature (During Soldering, 1/16” ±1/32” from case for 10sec max), T_L. . . . . . . . +260°C

Note 1. Determined from power limitations due to saturation voltage at this current.

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

DC Characteristics

Collector Cutoff Current

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

I_CBO

V_CB= 50V

–

0.1

µA

V_CB= 50V, T_A= +100°C

Emitter Cutoff Current

Collector Saturation Voltage

Base Saturation Voltage

DC Current Gain

I_EBO

V_EB= 5V

–

0.1

V_CE(sat)I_B= 3mA, I_C= 50mA

V_BE(sat)I_B= 3mA, I_C= 50mA

–

0.30

0.85

540

–

h_FE

V_CE= 4.5V, I_C= 2mA

180

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与NTE193相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE193/A	NTE	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 70V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-92VAR
NTE1930	NTE	获取价格	Integrated Circuit Positive Adjustable Voltage Regulator, 5V to 37V, 25mA
NTE1932	NTE	获取价格	Integrated Circuit 3-Terminal Positive Voltage Regulator, 10V, 1A
NTE1934	NTE	获取价格	Integrated Circuit Positive Voltage Regulator, 5V, 2A
NTE1934X	NTE	获取价格	Integrated Circuit Positive Voltage Regulator, 5V, 2A
NTE1936	NTE	获取价格	Integrated Circuit Positive Voltage Regulator, 12V, 2A
NTE1938	NTE	获取价格	Integrated Circuit Positive Voltage Regulator, 15V, 2A
NTE193A	NTE	获取价格
NTE194	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor Audio Power Amplifier
NTE1940	NTE	获取价格	Integrated Circuit Positive Voltage Regulator, 24V, 2A

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