NTE192/A

更新时间： 2024-11-18 23:54:51

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NTE		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	25K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 70V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-92VAR

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NTE192/A 数据手册

NTE192 (NPN) & NTE193 (PNP)

NTE192A (NPN) & NTE193A (PNP)

Silicon Complementary Transistors

Audio Power Output

Description:

NTE192 (NPN)/NTE193 (PNP) and NTE192A (NPN)/NTE193A (PNP) are silicon complementary

transistors in a TO92HS type package designed for use in general purpose industrial circuits. These

devices are especially suited for high level linear amplifiers or medium speed switching circuits in

industrial control applications.

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Continuous Collector Current (Note 1), I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA

Total Power Dissipation (T_C= +25°C, Note 1), P_T. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900mW

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7.2mW/°C

Total Power Dissipation (T_A= +25°C), P_T. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 560mW

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.47mW/°C

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Lead Temperature (During Soldering, 1/16” ±1/32” from case for 10sec max), T_L. . . . . . . . +260°C

Note 1. Determined from power limitations due to saturation voltage at this current.

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

DC Characteristics

Collector Cutoff Current

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

I_CBO

V_CB= 50V

–

0.1

µA

V_CB= 50V, T_A= +100°C

Emitter Cutoff Current

Collector Saturation Voltage

Base Saturation Voltage

DC Current Gain

I_EBO

V_EB= 5V

–

0.1

V_CE(sat)I_B= 3mA, I_C= 50mA

V_BE(sat)I_B= 3mA, I_C= 50mA

–

0.30

0.85

540

–

h_FE

V_CE= 4.5V, I_C= 2mA

180

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