NTE189

更新时间： 2024-11-01 04:36:03

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NTE		晶体放大器小信号双极晶体管驱动局域网
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描述
Silicon Complementary Transistors High Voltage Amplifier & Driver

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NTE189 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SFM
包装说明：	TO-202N, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.73
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JEDEC-95代码：	TO-202	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	10 W	最大功率耗散 (Abs)：	10 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

NTE189 数据手册

NTE188 (NPN) & NTE189 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

High Voltage Amplifier & Driver

Description:

The NTE188 (NPN) and NTE189 (PNP) are complementary silicon transistors in a TO202N type

package designed for general purpose, high voltage amplifier and driver applications.

Features:

D High Collector–Emitter Breakdown Voltage: V_(BR)CEO= 80V @ I_C= 1mA

D High Power Dissipation: P_D= 10W @ T_C= +25°C

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V

Collector–Base Voiltage, V_CB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V

Emitter–Base Voltage, V_EB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V

Continuous Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

Total Power Dissipation (T_A= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8mW/°C

Total Power Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80mW/°C

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient (Note 1), R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125°C/W

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12.5°C/W

Note 1. R_thJAis measured with the device soldered into a typical printed circuit board.

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

Typ Max Unit

OFF Characteristics

Collector–Emitter Breakdown Voltage

Emitter–Base Breakdown Voltage

I = 1mA, I = 0, Note 2

–

(BR)CEO

I = 100µA, I = 0

E C

(BR)EBO

Collector Cutoff Current

NTE188

CBO

= 80V, I = 0

–

100

NTE189

= 60V, I = 0

Note 2. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.

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