NTE188

更新时间： 2024-11-22 22:54:23

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NTE		晶体放大器小信号双极晶体管驱动局域网
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2页	25K
描述
Silicon Complementary Transistors High Voltage Amplifier & Driver

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NTE188 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SFM	包装说明：	TO-202N, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-202
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	10 W
最大功率耗散 (Abs)：	10 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

NTE188 数据手册

NTE188 (NPN) & NTE189 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

High Voltage Amplifier & Driver

Description:

The NTE188 (NPN) and NTE189 (PNP) are complementary silicon transistors in a TO202N type

package designed for general purpose, high voltage amplifier and driver applications.

Features:

D High Collector–Emitter Breakdown Voltage: V_(BR)CEO= 80V @ I_C= 1mA

D High Power Dissipation: P_D= 10W @ T_C= +25°C

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V

Collector–Base Voiltage, V_CB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V

Emitter–Base Voltage, V_EB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V

Continuous Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

Total Power Dissipation (T_A= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8mW/°C

Total Power Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80mW/°C

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient (Note 1), R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125°C/W

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12.5°C/W

Note 1. R_thJAis measured with the device soldered into a typical printed circuit board.

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

Typ Max Unit

OFF Characteristics

Collector–Emitter Breakdown Voltage

Emitter–Base Breakdown Voltage

I = 1mA, I = 0, Note 2

–

(BR)CEO

I = 100µA, I = 0

E C

(BR)EBO

Collector Cutoff Current

NTE188

CBO

= 80V, I = 0

–

100

NTE189

= 60V, I = 0

Note 2. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.

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