NTE183

更新时间： 2024-02-20 08:22:57

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NTE		晶体开关放大器晶体管功率双极晶体管局域网
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2页	26K
描述
Silicon Complementary Transistors General Purpose Amplifier, Switch

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NTE183 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	2.02	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	5	JEDEC-95代码：	TO-127
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	90 W
最大功率耗散 (Abs)：	90 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	2 MHz	Base Number Matches：	1

NTE183 数据手册

NTE182 (NPN) & NTE183 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

General Purpose Amplifier, Switch

Description:

The NTE182 (NPN) and NTE183 (PNP) are silicon transistors in a TO127 type case designed for use

in general purpose amplifier and switching applications.

Features:

D DC Current Gain Specified to 10A

D High Current Gain–Bandwidth Product: f_T= 2MHz (Min) @ I_C= 500mA

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V

Collector–Base Voltage, V_CB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70V

Emitter–Base Voltage, V_EB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A

Base Current, I_B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6A

Total Device Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.72W/°C

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.39°C/W

Electrical Characteristics: (T_C=+25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

OFF Characteristics

Collector–Emitter Sustaining Voltage V_CEO(sus)I_C= 200mA, I_B= 0, Note 1

–

Collector Cutoff Current

I_CEO

I_CEX

V_CE= 30V, I_B= 0

700 µA

1.0 mA

5.0 mA

V_CE= 70V, V_BE(off)= 1.5V

–

V_CE= 70V, V_BE(off)= 1.5V,

–

T_C= +150°C

I_CBO

V_CB= 70V, I_E= 0

–

1.0 mA

V_CB= 70V, I_E= 0, T_C= +150°C

V_BE= 5V, I_C= 0

Emitter Cutoff Current

I_EBO

5.0 mA

Note 1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs. Duty Cycle ≤ 2%.

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