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NTE182

更新时间: 2024-02-26 21:59:03
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NTE 晶体开关放大器晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 26K
描述
Silicon Complementary Transistors General Purpose Amplifier, Switch

NTE182 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:1.69
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):10 A集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):5
JEDEC-95代码:TO-127JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:90 W最大功率耗散 (Abs):90 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):2 MHz
Base Number Matches:1

NTE182 数据手册

 浏览型号NTE182的Datasheet PDF文件第2页 
NTE182 (NPN) & NTE183 (PNP)  
Silicon Complementary Transistors  
General Purpose Amplifier, Switch  
Description:  
The NTE182 (NPN) and NTE183 (PNP) are silicon transistors in a TO127 type case designed for use  
in general purpose amplifier and switching applications.  
Features:  
D DC Current Gain Specified to 10A  
D High Current Gain–Bandwidth Product: fT = 2MHz (Min) @ IC = 500mA  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V  
Collector–Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70V  
Emitter–Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V  
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A  
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6A  
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90W  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.72W/°C  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.39°C/W  
Electrical Characteristics: (TC =+25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
OFF Characteristics  
Collector–Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) IC = 200mA, IB = 0, Note 1  
60  
V
Collector Cutoff Current  
ICEO  
ICEX  
VCE = 30V, IB = 0  
700 µA  
1.0 mA  
5.0 mA  
VCE = 70V, VBE(off) = 1.5V  
VCE = 70V, VBE(off) = 1.5V,  
TC = +150°C  
ICBO  
VCB = 70V, IE = 0  
1.0 mA  
VCB = 70V, IE = 0, TC = +150°C  
VBE = 5V, IC = 0  
10  
mA  
Emitter Cutoff Current  
IEBO  
5.0 mA  
Note 1. Pulse Test: Pulse Width 300µs. Duty Cycle 2%.  

NTE182 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MJE3055 MOTOROLA

功能相似

10 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60 VOLTS 75 WATTS
MJH16006 MOTOROLA

功能相似

POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 500 VOLTS 150 WATTS

与NTE182相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTE1820 NTE

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Integrated Circuit Module, Dual AF PO, 30W/Ch, Dual Power Supply
NTE1821 ETC

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NTE1822 NTE

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NTE1824 ETC

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NTE1825 NTE

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Integrated Circuit Dual, DC Motor Driver
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Integrated Circuit Quad Transistor Array, 10k
NTE1829 NTE

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Integrated Circuit Quad Transistor Array, 5kз