NTE181

更新时间： 2024-11-19 10:30:27

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NTE		晶体音频放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	27K
描述
Silicon Power Transistor High Power Audio Amplifier

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NTE181 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.7
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	30 A
集电极-发射极最大电压：	90 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	25	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	200 W
最大功率耗散 (Abs)：	200 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	2 MHz	Base Number Matches：	1

NTE181 数据手册

NTE180 (PNP) & NTE181 (NPN)

Silicon Power Transistor

High Power Audio Amplifier

Description:

The NTE180 (PNP) and NTE181 (NPN) are silicon complementary transistors in a TO3 type case

designed for use as output devices in complementary audio amplifiers to 100 watts music power per

channel.

Features:

D High DC Current Gain: h_FE= 25 – 100 @ I_C= 7.5A

D Excellent Safe Operating Area

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CER. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

Collector–Base Voltage, V_CB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90V

Emitter–Base Voltage, V_EB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V

Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30A

Base Current, I_B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7.5A

Total Device Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.14W/°C

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.875°C/W

Electrical Characteristics: (T_C=+25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

OFF Characteristics

Collector–Emitter Breakdown Voltage V_(BR)CERI_C= 200mA, R_BE= 100Ω, Note 1 100

–

Collector–Emitter Sustaining Voltage V_CEO(sus)I_C= 200mA, Note 1

–

Collector–Base Cutoff Current

I_CBO

V_CB= 100V, I_E= 0

1.0 mA

5.0 mA

1.0 mA

V_CB= 100V, I_E= 0, T_C= +150°C

V_BE= 4V, I_C= 0

–

Emitter–Base Cutoff Current

I_EBO

–

Note 1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs. Duty Cycle ≤ 2%.

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NTE181 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MJ802G	ONSEMI	功能相似	High?Power NPN Silicon Transistor
MJ802	STMICROELECTRONICS	功能相似	COMPLEMENTARY HIGH POWER TRANSISTORS

与NTE181相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE1810	NTE	获取价格	Integrated Circuit Color TV Video System
NTE1811	ETC	获取价格	Consumer IC
NTE1812	NTE	获取价格	Integrated Circuit Capstan Interface Circuit for VCR
NTE1813	NTE	获取价格	Integrated Circuit Color Signal Processor for VCR
NTE1814	NTE	获取价格	Integrated Circuit CMOS, Color Processing Circuit for VCR
NTE1815	NTE	获取价格	Integrated Circuit Module, AF PO, 20W, Dual Power Supply
NTE1816	NTE	获取价格	Integrated Circuit Module, Dual AF PO, 6W/Ch
NTE1817	NTE	获取价格	Integrated Circuit Module, AF PO, 20W, Dual Power Supply
NTE1818	NTE	获取价格	Integrated Circuit Module, AF PO, 25W/Ch, Dual Power Supply
NTE1819	NTE	获取价格	Integrated Circuit Module, AF Power Amplifier, 30W/Ch

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