NTE176

更新时间： 2024-09-26 22:54:23

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NTE		晶体放大器晶体管功率双极晶体管功率放大器
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描述
Germaniun PNP Transistor Audio Power Amplifier

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NTE176 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-39
包装说明：	TO-39, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.4	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JEDEC-95代码：	TO-39
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	6 W
最大功率耗散 (Abs)：	6 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GERMANIUM
标称过渡频率 (fT)：	1.2 MHz	Base Number Matches：	1

NTE176 数据手册

NTE176

Germaniun PNP Transistor

Audio Power Amplifier

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10V

Continuous Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

Total Power Dissapation (T_C= +25°C), P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +85°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +85°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

I_CEO

I_CBO

I_EBO

h_FE

Test Conditions

V_CE= 10V, I_B= 0

Min Typ Max Unit

Collector Cutoff Current

–

0.9

V_CB= 20V, I_E= 0

V_EB= 6V, I_C= 0

V_CB= 0, I_E= 2A

V_CB= 2V, I_E= 100mA

V_CB= 0, I_E= 2A

500 µA

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

–

0.3

–

MHz

Transition Frequency

Base–Emitter Voltage

f_T

1.2

0.5

0.25

V_BE

Collector–Emitter saturation Voltage V_CE(sat)I_C= 2A, I_B= 200mA

–

.370 (9.39) Dia Max

.355 (9.03) Dia Max

.260

(6.6)

Max

.500

(12.7)

Min

.018 (0.45)

Base

Emitter

Collector/Case

45°

.031 (.793)

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