NTE172A

更新时间： 2024-02-26 09:58:43

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NTE		晶体开关小信号双极晶体管达林顿晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	27K
描述
Silicon NPN Transistor Darlington Preamp, Medium Speed Switch

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NTE172A 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	2.15	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.3 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	20000
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	60 MHz	Base Number Matches：	1

NTE172A 数据手册

NTE172A

Silicon NPN Transistor

Darlington Preamp, Medium Speed Switch

Description:

The NTE172A is a silicon NPN Darlington transistor in a TO92 type case designed for preamplifier

input stages requiring input impedances of several megohms or extremely low level, high gain, low

noise amplifier applications.

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mA

Pulsed (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA

Base Current, I_B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA

Total Power Dissipation (T_A= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400mW

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4mW/°C

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +125°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Lead Temperature (During Soldering, 1/16” ±1/32” from case for 10sec max.), T_L. . . . . . . . +260°C

Note 1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

Typ Max

Unit

Static Characteristics

Collector–Base Breakdown Voltage

Collector–Emitter Breakdown Voltage

Emitter–Base Breakdown Voltage

DC Current Gain

I = 0.1µA, I = 0

–

(BR)CBO

(BR)CEO

(BR)EBO

I = 10mA, I = 0

C B

I = 0.1µA, I = 0

–

= 5V, I = 2mA

7000

20000

–

70000

–

= 5V, I = 100mA

Collector Cutoff Current

= 40V, I = 0

100

CBO

= 40V, I = 0, T = +100°C

–

µA

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