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NTE164

更新时间： 2024-02-12 08:59:02

品牌	Logo	应用领域
NTE		晶体晶体管电视
页数	文件大小	规格书
2页	24K
描述
Silicon NPN Transistor TV Vertical Output

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NTE164 数据手册

NTE164

Silicon NPN Transistor

TV Vertical Output

Description:

The NTE164 is a high voltage silicon NPN transistor in a TO3 type package designed for color TV

vertical output applications.

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1500V

Collector–Emitter Voltage, V_CER. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A

Emitter Current, I_E. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A

Collector Dissipation (T_C= +25°C), P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50W

Maximum Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

Symbol

I_CBO

Test Conditions

V_CB= 500V, I_E= 0

Min Typ Max Unit

–

µA

I_EBO

V_EB= 5V, I_C= 0

h_FE

V_CE= 15V, I_C= 2A

5.0

–

Collector–Emitter Saturation Voltage

Base–Emitter Saturation Voltage

Transition Frequency

Capacitance

V_CE(sat)I_C= 2A, I_B= 0.6A

V_BE(sat)I_C= 2A, I_B= 0.6A

8.5

1.5

–

f_T

C_ob

t_f

V_CE= 10V, I_C= 0.1A

V_CB= 10V, I_E= 0, f = 1MHz

I_CP= 2A, I_B1= 0.6A

MHz

µs

0.5

–

Fall Time

1.0

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