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NTE162

更新时间: 2024-11-22 22:54:23
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体晶体管功率双极晶体管电视开关局域网
页数 文件大小 规格书
2页 27K
描述
Silicon NPN Transistor TV Vertical Deflection

NTE162 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.4Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):10 A
集电极-发射极最大电压:325 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):10JEDEC-95代码:TO-3
JESD-30 代码:O-MBFM-P2元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:100 W
最大功率耗散 (Abs):100 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):2.5 MHzBase Number Matches:1

NTE162 数据手册

 浏览型号NTE162的Datasheet PDF文件第2页 
NTE162  
Silicon NPN Transistor  
TV Vertical Deflection  
Description:  
The NTE162 is an NPN transistor in a TO3 type case designed for medium–to–high voltage inverters,  
converters, regulators, and switching circuits.  
Features:  
D High Voltage: VCEX = 400V  
D Gain Specified to 3.5A  
D High Frequency Response to 2.5MHz  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Emitter Voltage, VCEX . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V  
Collector–Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V  
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A  
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A  
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125W  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W/°C  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1°C/W  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
OFF Characteristics  
Collector–Emitter Sustaining Voltage  
Collector Cutoff Current  
V
I = 100mA, I = 0, Note 1  
325  
V
(BR)CEO(sus)  
C
B
I
V
CE  
= 400V, V = 1.5V  
EB(off)  
2.5 mA  
CEX  
V
CE  
= 400V, V  
= 1.5V,  
1.0 mA  
EB(off)  
T = +125°C  
C
Emitter Cutoff Current  
I
V
BE  
= 5V, I = 0  
2.0 mA  
EBO  
C
Note 1. Pulse Test: Pulse Width 300µs, Duty Cycle 2%.  

NTE162 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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