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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> NTE161
NTE161 PDF预览

NTE161

更新时间： 2024-10-27 22:54:23
品牌 Logo 应用领域
NTE 振荡器晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 27K
描述
Silicon NPN Transistor VHF-UHF Amplifier, Mixer/Osc

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NTE161 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-72
包装说明：TO-72, 4 PIN针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：2.15
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.05 A
基于收集器的最大容量：3 pF集电极-发射极最大电压：15 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：60
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码：TO-72
JESD-30 代码：O-MBCY-W4元件数量：1
端子数量：4封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.18 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：600 MHz
Base Number Matches：1

NTE161 数据手册

 浏览型号NTE161的Datasheet PDF文件第2页 
NTE161  
Silicon NPN Transistor  
VHF–UHF Amplifier, Mixer/Osc  
Features:  
D High Current Gain–Bandwidth Product: fT = 600MHz (Min) @ f = 100MHz  
D Low Output Capacitance: Cob = 1.7pF (Max) @ VCB = 10V  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45V  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V  
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA  
Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mW  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.14mW/°C  
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.71mW/°C  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
OFF Characteristics  
Collector–Base Breakdown Voltage V(BR)CBO IC = 1.0µA, IE = 0  
Emitter–Base Breakdown Voltage V(BR)EBO IE = 10µA, IC = 0  
Collector–Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) IC = 3mA, IB = 0  
30  
3.0  
15  
–
–
–
–
–
–
–
–
–
V
V
V
Collector Cutoff Current  
ICBO  
VCB = 15V, IE = 0  
0.01 µA  
1.0 µA  
VCB = 15V, IE = 0, TA = +150°C  
–
12

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