NTE159M

更新时间： 2024-01-26 22:23:45

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NTE		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
4页	36K
描述
Silicon Complementary Transistors General Purpose

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NTE159M 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.73
Is Samacsys：	N	其他特性：	MATCHED COMPLIMENTARY PAIR CONTAINS NTE123AP AND NTE159
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	180
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
元件数量：	2	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN AND PNP
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

NTE159M 数据手册

NTE123A (NPN) & NTE159M (PNP)

Silicon Complementary Transistors

General Purpose

Description:

The NTE123A (NPN) and NTE159M (PNP) are widely used “Industry Standard” complementary transis-

tors in a TO18 type case designed for applications such as medium–speed switching and amplifiers from

audio to VHF frequencies.

Features:

D Low Collector Saturation Voltage: 1V (Max)

D High Current Gain–Bandwidth Product: f_T= 300MHz (Min) @ I_C20mA

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO

NTE123A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V

NTE159M . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V

Collector–Base Voltage, V_CBO

NTE123A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75V

NTE159M . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V

Emitter–Base Voltage, V_EBO

NTE123A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V

NTE159M . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Continuous Collector Current, I_C

NTE123A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800mA

NTE159M . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mA

Total Device Dissipation (T_A= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.4W

Derate Above +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.28mW/°C

Total Device Dissipation (T_C= +25°C), P_D

NTE123A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2W

Derate Above +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.85mW/°C

NTE159M . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.8W

Derate Above +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10.3mW/°C

Operating Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

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与NTE159M相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NTE159MCP	NTE	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, T	获取价格
NTE16	NTE	Silicon Complementary Transistors Low Noise, General Purpose Amplifier	获取价格
NTE160	NTE	Germanium PNP Transistor RF-IF Amp, FM Mixer OSC	获取价格
NTE1600	ETC	Consumer IC	获取价格
NTE16000-ECG	NTE	Polymeric Positive Temperature Coefficient (PTC) Resettable Fuses	获取价格
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