NTE158

更新时间： 2024-10-31 22:54:23

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NTE		晶体放大器小信号双极晶体管功率放大器
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2页	23K
描述
Germanium PNP Transistor Audio Power Amplifier

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NTE158 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	2.16	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	32 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JEDEC-95代码：	TO-1	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	1.6 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GERMANIUM
标称过渡频率 (fT)：	1.5 MHz	Base Number Matches：	1

NTE158 数据手册

NTE158

Germanium PNP Transistor

Audio Power Amplifier

Description:

The NTE158 is a germanium PNP triode transistor in a TO1 type package designed for low–power,

large signal audio applications.

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C)

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32V

Collector–Emitter Voltage (R_BE≤ 500Ω), V_CER. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10V

Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A

Base Current, I_B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40mA

Power Dissipation (T_A= +25°C), P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 550mW

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.3mW/°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +90°C

Lead Temperature (During Soldering, 1/16” ±1/32” from case for 5sec), T_L. . . . . . . . . . . . . . +245°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

Collector–Base Breakdown Voltage V_(BR)CBOI_C= 200µA, I_E= 0

Emitter–Base Breakdown Voltage V_(BR)EBOI_E= 200µA, I_C= 0

–

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

I_CBO

I_EBO

h_FE

V_BE

f_hfe

V_CB= –10V, I_E= 0

–

µA

V_EB= –5V, T_J= +75°C

V_CB= 1V, I_C= 300mA

V_CE= 1V, I_C= 300mA

–

500 µA

175

280

–

Base–Emitter Voltage

380 mV

Forward Current Transfer Cutoff

Frequency

–

Output Capacitance

C_ob

V_CB= –5V, I_E= 0 @ 0.45mc

–

105

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