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NTE157 PDF预览

NTE157

更新时间： 2024-10-29 22:44:47
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NTE 晶体转换器放大器晶体管功率双极晶体管功率放大器局域网
页数 文件大小 规格书
2页 27K
描述
Silicon NPN Transistor Audio Power Amp, High Voltage Converter (Compl to NTE39)

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NTE157 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：1.66
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：300 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：5JEDEC-95代码：TO-126
JESD-30 代码：R-PSFM-W3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：20 W
最大功率耗散 (Abs)：20 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：SINGLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：10 MHzBase Number Matches：1

NTE157 数据手册

 浏览型号NTE157的Datasheet PDF文件第2页 
NTE157  
Silicon NPN Transistor  
Audio Power Amp, High Voltage Converter  
(Compl to NTE39)  
Description:  
The NTE157 is a silicon NPN transistor in a TO126 type package designed for use in line–operated  
equipment such as audio output amplifiers, low–current, high–voltage converters, and AC line relays.  
Features:  
D Excellent DC Current Gain: hFE = 30 to 250 @ IC = 100mA  
D Current–Gain – Bandwidth Product: fT = 10MHz (Min) @ IC = 50mA  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V  
Collector–Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 325V  
Emitter–Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V  
Collector Current, IC  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA  
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A  
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250mA  
Total Power Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20W  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.16W/°C  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C  
Thermal Resistance, Junction to case, RΘ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.25°C/W  
JC  
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
OFF Characteristics  
Collector–Emitter Sustaining Voltage  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
V
I = 100mA (Inductive), L = 50mH  
300  
300  
–
–
–
–
–
–
–
–
–
V
CEO(sus)  
C
V
I = 1mA, I = 0  
–
V
(BR)CEO  
C
B
I
V
= 200V, I = 0  
0.1  
0.1  
1.0  
10  
10  
mA  
mA  
mA  
µA  
µA  
CEO  
CE  
CE  
CE  
CB  
EB  
B
I
V
V
V
V
= 300V, V  
= 300V, V  
= 1.5V  
–
CEX  
EB(off)  
EB(off)  
= 1.5V, T = +100°C  
–
C
I
= 325V, I = 0  
–
CBO  
E
Emitter Cutoff Current  
I
= 6V, I = 0  
–
EBO  
C
12

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