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NTE154

更新时间： 2024-10-31 22:44:47

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NTE		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	26K
描述
Silicon NPN Transistor High Voltage Video Output

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NTE154 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	2.16	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	基于收集器的最大容量：	2.5 pF
集电极-发射极最大电压：	300 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JEDEC-95代码：	TO-39
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	7 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
Base Number Matches：	1

NTE154 数据手册

NTE154

Silicon NPN Transistor

High Voltage Video Output

Description:

The NTE154 is a silicon NPN transistor in a TO39 type package designed for use as a video output

to drive a color CRT.

Features:

D High Voltage: V_CEO= 300V Min @ I_C= 5mA

D Low Capacitance: C_ob= 3pF Max @ V_CB= 20V

D High Frequency: f_t= 50MHz Min @ I_C= 15mA

D High Power Dissipation: P_D= 7W @ T_C= +25°C

Absolute Maximum Ratings: (Note 1)

Collector to Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V

Collector to Emitter Voltage (Note 2), V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V

Emitter to Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7V

Total Power Dissipation (Note 3, Note 4), P_D

T_C= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7W

T_A= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W

Operating Junction Temperature, T_opr. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +200°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Lead Temperature (During Soldering, 60sec), T_L. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +300°C

Note 1. These ratings are limiting values above which the serviceability of this device may be impaired.

Note 2. This rating refers to a high current point where collector to emitter voltage is lowest.

Note 3. These ratings are steady state limits.

Note 4. These ratings give a maximum junction temperature of +200°C and junction to case thermal

resistance of +25°C/W (derating factor of 40mW/°C); junction to ambient thermal resistance

of +175°C/W (derating factor of 5.71mW/°C).

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