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NTE15

更新时间： 2024-10-31 22:44:47

品牌	Logo	应用领域
NTE		振荡器晶体放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	23K
描述
Silicon NPN Transistor VHF Amp, Mixer, Oscillator, UHF OSC

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NTE15 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	2.14	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
基于收集器的最大容量：	1.5 pF	集电极-发射极最大电压：	19 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	39
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	1100 MHz	Base Number Matches：	1

NTE15 数据手册

NTE15

Silicon NPN Transistor

VHF Amp, Mixer, Oscillator, UHF OSC

Features:

D High Transition Frequency: f_T= 1.1GHz

D Low Base Resistance and High Gain

D Excellent Noise Characteristics

Applications:

D VHF Mixers and Oscillators

D UHF Oscillators

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V

Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA

Collector Dissipation, P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW

Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +125°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +125°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector–Emitter Breakdown Voltage

Collector–Base Breakdown Voltage

Emitter–Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

V_(BR)CEOI_C= 1mA

V_(BR)CBOI_C= 50µA

V_(BR)EBOI_E= 50µA

–

I_CBO

I_EBO

h_FE

V_CB= 20V

–

0.5

–

µA

–

Emitter Cutoff Current

V_EB= 3V

–

DC Current Gain

V_CE= 10V, I_C= 5mA

–

Collector Saturation Voltage

Transition Frequency

V_CE(sat)I_C= 10mA, I_B= 1mA

0.1

–

f_T

V_CE= 5V, I_E= 10mA

V_CB= 10V, f = 1MHz

–

600 1100 MHz

Output Capacitance

C_ob

C_dbb

–

1.2 1.5

10 15

Collector–Base Time Constant

I_C= 10mA, V_CB= 5V,

f = 31.8MHz

–

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NTE15 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2SC2377C	PANASONIC	功能相似	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.015A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Sili
2SC2377	PANASONIC	功能相似	Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency amplification)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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