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NTE124 PDF预览

NTE124

更新时间： 2024-02-15 08:34:14
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NTE 晶体晶体管高压
页数 文件大小 规格书
2页 27K
描述
Silicon NPN Transistor High Voltage Power Output

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NTE124 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：1.94
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：300 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：25JEDEC-95代码：TO-66
JESD-30 代码：O-MBFM-P2元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：20 W最大功率耗散 (Abs)：20 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：PIN/PEG
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：10 MHz

NTE124 数据手册

 浏览型号NTE124的Datasheet PDF文件第2页 
NTE124  
Silicon NPN Transistor  
High Voltage Power Output  
Description:  
The NTE124 is a general purpose transistor in a TO66 type package designed for high speed switch-  
ing, linear amplifier applications, high voltage operational amplifiers, switching regulators, converters,  
inverters, deflection stages, and high fidelity amplifiers.  
Features:  
ꢀ
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ꢀ DC Current Gain: hFE = 40 – 200 @ IC = 100mA  
ꢀ Current–Gain – Bandwidth Product: fT = 10MHz (Min) @ IC = 100mA  
ꢀ IS/b Rated to 2A  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 325V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V  
Collector Current, IC  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A  
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A  
Base Current, IB  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA  
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A  
Total Device Dissipation (TC = 25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20W  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.133W/°C  
Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7.5°C/W  
12

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