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NTE1179

更新时间： 2024-01-18 09:40:18

品牌	Logo	应用领域
NTE		晶体放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	84K
描述
Integrated Circuit Pre−Amplifier with ALC Transistors

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NTE1179 数据手册

NTE1179

Integrated Circuit

Pre−Amplifier with ALC Transistors

Features:

D Low Noise, Low Distortion

D Includes ALC Transistor

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C, V_CC= 5.5V unless otherwise specified)

Maximum Supply Voltage, V_CCMAX. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9.5V

Allowable Current Dissipation, I_CCMAX. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10mA

Maximum Current of Transistor, I_CCMAX. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5mA

Allowable Power Dissipation, P_DMAX. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mW

Operating Temperature Range, T_opr. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −20 to +60°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −40 to +125°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C, V_CC= 5.5V, f = 1kHz, R_L= 10kΩ, unless otherwise specified)

Parameter

Quiescent Current

Voltage Gain

Symbol

I_CCO

Test Conditions

Min Typ Max Unit

−

1.1

−

Open Loop

V_G

Closed Loop

THD = 5%

−

Output Voltage

V_O

0.7 1.2

Total Harmonic Distortion

Input Resistance

THD V_O= 200mV

R_i

−

1.0

−

kΩ

Noise Output Voltage

ALC Rejection

V_NO

Input: Recording Head, V_G= 75dB

−

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