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NTE11 PDF预览

NTE11

更新时间： 2024-11-19 22:44:47
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体放大器小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 26K
描述
Silicon Complementary Transistors High Current Amplifier

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NTE11 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：2.17Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：5 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：150
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.75 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

NTE11 数据手册

 浏览型号NTE11的Datasheet PDF文件第2页 
NTE11 (NPN) & NTE12 (PNP)  
Silicon Complementary Transistors  
High Current Amplifier  
Description:  
The NTE11 (NPN) and NTE12 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO92 type case de-  
signed for use in low–frequency output amplifier, DC converter, and strobe applications.  
Features:  
D High Collector Current: IC = 5A Max  
D Low Collector–Emitter Saturation Voltage  
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Collector–Base Voltage, VCBO  
NTE11 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V  
NTE12 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27V  
Collector–Emitter Voltage, VCEO  
NTE11 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V  
NTE12 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7V  
Collector Current, IC  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A  
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8A  
Total Power Dissipation, PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 750mW  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
Collector Cutoff Current  
NTE11  
ICBO  
VCB = 10V, IE = 0  
VCB = 10V, IE = 0  
–
–
–
–
0.1 µA  
NTE12  
100 nA  
12

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NTE11 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
KSD5041 FAIRCHILD

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