NTE11

更新时间： 2024-01-20 03:23:46

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NTE		晶体放大器小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	26K
描述
Silicon Complementary Transistors High Current Amplifier

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NTE11 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	2.17	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	150
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.75 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

NTE11 数据手册

NTE11 (NPN) & NTE12 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

High Current Amplifier

Description:

The NTE11 (NPN) and NTE12 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO92 type case de-

signed for use in low–frequency output amplifier, DC converter, and strobe applications.

Features:

D High Collector Current: I_C= 5A Max

D Low Collector–Emitter Saturation Voltage

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Base Voltage, V_CBO

NTE11 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V

NTE12 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO

NTE11 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V

NTE12 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A

Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8A

Total Power Dissipation, P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 750mW

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

Collector Cutoff Current

NTE11

I_CBO

V_CB= 10V, I_E= 0

–

0.1 µA

NTE12

100 nA

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NTE11 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
KSD5041	FAIRCHILD	功能相似	AF Output Amplifier for Electronic Flash Unit
2SD965	PANASONIC	功能相似	Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification)

与NTE11相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE1100	NTE	获取价格	Integrated Circuit TV Sound IF Amp, FM IF Amp
NTE1101	NTE	获取价格	Integrated Circuit General Purpose Amp, Mixer, and Oscillator
NTE1102	NTE	获取价格	Integrated Circuit 3 Stage Audio Amplifier
NTE1103	NTE	获取价格	Integrated Circuit General Purpose, Low Noise Preamplifier
NTE1104	NTE	获取价格	Integrated Circuit Wide and Narrow Band Amp, FM/IF Limiter
NTE1106	NTE	获取价格	Integrated Circuit FM Stereo Demodulator
NTE1107	ETC	获取价格	Analog IC
NTE1108	ETC	获取价格	Analog IC
NTE1109	ETC	获取价格	Analog IC
NTE110A	NTE	获取价格	Germanium Diode General Purpose

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