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NTE100

更新时间： 2024-09-16 22:28:47
品牌 Logo 应用领域
NTE 振荡器晶体开关小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 29K
描述
Germanium Complementary Transistors Oscillator, Mixer for AM Radio, Medium Speed Switch

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NTE100 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-5
包装说明：TO-5, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.49
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：24 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：24JEDEC-95代码：TO-5
JESD-30 代码：O-MBCY-W3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：GERMANIUM标称过渡频率 (fT)：5 MHz
Base Number Matches：1

NTE100 数据手册

 浏览型号NTE100的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NTE100的Datasheet PDF文件第3页 
NTE100 (PNP) & NTE101 (NPN)  
Germanium Complementary Transistors  
Oscillator, Mixer for AM Radio,  
Medium Speed Switch  
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V  
Collector–Emitter Voltage (Note 1), VCEO  
NTE100 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24V  
NTE101 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V  
Emitter–Base Voltage, VEBO  
NTE100 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12V  
NTE101 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V  
Collector Current, IC  
NTE100 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA  
NTE101 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mA  
Emitter Current (NTE100 Only), IE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA  
Total Device Dissipation, PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150mW  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5mW/°C  
Operating Collector Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +85°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +100°C  
Note 1. Punch–through voltage.  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Typ Max Unit  
Collector–Base Brteakdown Voltage  
NTE100  
V
(BR)CBO  
I = 0  
E
I = 20µA  
25  
25  
–
–
–
–
V
V
C
NTE101  
I = 100µA  
C
Emitter–Base Breakdown Voltage  
NTE100  
V
(BR)EBO  
I = 0  
C
I = 20µA  
12  
25  
–
–
–
–
V
V
E
NTE101  
I = 100µA  
E
Punch Through Voltage  
NTE100  
V
PT  
V
EBfl  
= 1V, Note 2  
24  
25  
–
–
–
–
V
V
NTE101  
Collector Cutoff Current  
NTE100  
I
CBO  
I = 0  
E
V
CB  
V
CB  
V
CB  
= 12V  
–
–
–
1
40  
3
5
90  
6
µA  
µA  
µA  
= 12V, T = +80°C  
A
NTE101  
= 25V  
Note 2. VPT is determined by measuring the Emitter–Base floating potential VEBfl. The Collector–  
Base Voltage, VCB, is increased until VEBfl = 1V; this value of VCB = (VPT + 1V). Care must  
be taken not to exceed maximum Collector–Base Voltage specified under maximum ratings.  
123

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