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NTE10 PDF预览

NTE10

更新时间： 2024-09-16 22:28:47
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NTE 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 24K
描述
Silicon NPN Transistor UHF Low Noise Wide.Band Amplifier

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NTE10 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-92
包装说明：TO-92, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.74
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.07 A
基于收集器的最大容量：1.1 pF集电极-发射极最大电压：12 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-W3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.6 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：5000 MHz
Base Number Matches：1

NTE10 数据手册

 浏览型号NTE10的Datasheet PDF文件第2页 
NTE10  
Silicon NPN Transistor  
UHF Low Noise Wide–Band Amplifier  
Features:  
D Low Noise Figure: NF = 2.2dB Typ (f = 0.9GHz)  
D High Power Gain: MAG = 14dB Typ (f = 0.9GHz)  
D High Cutoff Frequency: fT = 5GHz Typ  
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V  
Collector–Emitter Voltage, VCER . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V  
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70mA  
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30mA  
Collector Power Dissipation, PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW  
Junction Temperature, Tj . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Collector Cutoff Current  
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
Symbol  
ICBO  
IEBO  
hFE  
Test Conditions  
VCB = 12V, IE = 0  
Min Typ Max Unit  
–
–
–
1.0  
10  
200  
–
µA  
µA  
VEB = 2V, IC = 0  
–
VCE = 10V, IC = 20mA  
40  
–
–
Gain–Bandwidth Product  
Output Capacitance  
fT  
VCE = 10V, IC = 20mA  
5.0  
0.8  
0.5  
10  
14  
2.2  
GHz  
pF  
Cob  
VCB = 10V, f = 1MHz  
–
1.1  
–
Reverse Transfer Capacitance  
Forward Transfer Gain  
Maximum Available Power Gain  
Noise Figure  
Cre  
VCB = 10V, f = 1MHz  
–
pF  
2
|S21e  
|
VCE = 10V, IC = 20mA, f = 0.9GHz  
VCE = 10V, IC = 5mA, f = 0.9GHz  
VCE = 10V, IC = 5mA, f = 0.9GHz  
8
–
dB  
dB  
dB  
MAG  
NF  
–
–
–
4.5  
12

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NTE10 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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完全替代

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