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NTDV18N06LT4G

更新时间： 2024-09-25 01:22:03
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 169K
描述
Power MOSFET 18 A, 60 V, Logic Level N.Channel DPAK

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NTDV18N06LT4G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.68
雪崩能效等级（Eas）：72 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：18 A最大漏源导通电阻：0.065 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：54 A表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTDV18N06LT4G 数据手册

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NTD18N06L, NTDV18N06L  
Power MOSFET  
18 A, 60 V, Logic Level N−Channel DPAK  
Designed for low voltage, high speed switching applications in  
power supplies, converters and power motor controls and bridge  
circuits.  
http://onsemi.com  
Features  
V
R
TYP  
I
MAX  
(BR)DSS  
DS(on)  
D
• AEC Q101 Qualified − NTDV18N06L  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
18 A  
60 V  
54 mW@5.0 V  
(Note 1)  
Typical Applications  
N−Channel  
• Power Supplies  
• Converters  
D
• Power Motor Controls  
• Bridge Circuits  
G
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
S
Drain−to−Source Voltage  
V
60  
60  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
DSS  
MARKING  
DIAGRAMS  
Drain−to−Gate Voltage (R = 10 MW)  
V
DGR  
GS  
Gate−to−Source Voltage  
− Continuous  
V
V
"15  
"20  
4
GS  
GS  
− Non−repetitive (t v10 ms)  
p
Drain  
Drain Current  
4
− Continuous @ T = 25°C  
− Continuous @ T = 100°C  
− Single Pulse (t v10 ms)  
I
18  
10  
54  
Adc  
Apk  
DPAK  
CASE 369C  
STYLE 2  
A
D
I
D
A
2
I
1
p
DM  
3
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 2)  
P
55  
0.36  
2.1  
W
W/°C  
W
A
D
2
1
Gate  
3
Drain  
A
Source  
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+175  
°C  
J
stg  
4
Drain  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
72  
mJ  
4
Energy − Starting T = 25°C  
J
DPAK−3  
CASE 369D  
STYLE 2  
(V = 50 Vdc, V = 5.0 Vdc,  
DD  
GS  
L = 1.0 mH, I (pk) = 12 A, V = 60 Vdc)  
L
DS  
Thermal Resistance  
°C/W  
− Junction−to−Case  
− Junction−to−Ambient (Note 1)  
− Junction−to−Ambient (Note 2)  
R
R
R
2.73  
100  
71.4  
q
JC  
JA  
JA  
1
2
q
q
3
1
2
3
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
T
260  
°C  
L
Gate Drain Source  
18N6L = Device Code  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommen-  
ded Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above  
the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. When surface mounted to an FR−4 board using the minimum recommended  
pad size.  
Y
WW  
G
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Device  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
2. When surface mounted to an FR−4 board using the 0.5 sq in drain pad size.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
August, 2011 − Rev. 6  
NTD18N06L/D  
 
12345678

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NTDV18N06LT4G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FQD20N06LETF FAIRCHILD

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FQD20N06L FAIRCHILD

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