5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 暂无类别数据> NTD85N02RT4G
NTD85N02RT4G PDF预览

NTD85N02RT4G

更新时间： 2024-09-13 22:19:59
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
10页 77K
描述
Power MOSFET 85 Amps, 24 Volts N-Channel DPAK

阅读下载

中文翻译

获取价格

NTD85N02RT4G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：LEAD FREE, CASE 369AA, DPAK-3针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.18
雪崩能效等级（Eas）：85 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：24 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：12 A最大漏极电流 (ID)：85 A
最大漏源导通电阻：0.0052 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：78.1 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：192 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTD85N02RT4G 数据手册

 浏览型号NTD85N02RT4G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NTD85N02RT4G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NTD85N02RT4G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NTD85N02RT4G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NTD85N02RT4G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NTD85N02RT4G的Datasheet PDF文件第7页 
NTD85N02R  
Power MOSFET  
85 Amps, 24 Volts  
N−Channel DPAK  
Features  
http://onsemi.com  
• Pb−Free Packages are Available  
• Planar HD3e Process for Fast Switching Performance  
V
DSS  
R
TYP  
I MAX  
D
DS(ON)  
• Low R  
to Minimize Conduction Loss  
DS(on)  
24 V  
4.8 mW  
85 A  
• Low C to Minimize Driver Loss  
iss  
• Low Gate Charge  
N−Channel  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C Unless otherwise specified)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value Unit  
G
V
DSS  
24  
V
dc  
dc  
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
V
GS  
±20  
V
S
Thermal Resistance − Junction−to−Case  
R
P
1.6  
78.1  
°C/W  
W
q
JC  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
C
D
4
Drain Current  
Continuous @ T = 25°C, Limited by Package  
I
I
85  
32  
96  
A
A
A
C
D
Continuous @ T = 25°C, Limited by Wires  
A
D
4
Single Pulse (t ≤ 10 ms)  
I
p
DM  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
(Note 1)  
R
52  
°C/W  
q
JA  
1
2
1
2
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
I
2.4  
16  
W
A
3
3
A
D
Drain Current − Continuous @ T = 25°C  
A
D
DPAK  
DPAK−3  
CASE 369C  
STYLE2  
CASE 369D  
STYLE 2  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
(Note 2)  
R
100  
°C/W  
q
JA  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
1.25  
12  
W
A
A
D
Drain Current − Continuous @ T = 25°C  
I
D
A
MARKING DIAGRAM  
& PIN ASSIGNMENTS  
Operating and Storage Temperature Range  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
T , T  
−55 to  
150  
°C  
J
stg  
E
AS  
85  
mJ  
4
Energy − Starting T = 25°C  
J
(V = 30 V , V = 10 V , I = 13 A ,  
DD  
dc  
GS  
dc  
L
pk  
1 Gate  
1
3
L = 1 mH, R = 25 W)  
YWW  
85  
N02  
G
2 Drain  
3 Source  
4 Drain  
4
2
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from Case for 10 Seconds  
T
L
260  
°C  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits  
are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur  
and reliability may be affected.  
Y
WW  
= Year  
= Work Week  
85N02R = Specific Device Code  
1
2
3
1. When surface mounted to an FR4 board using 1 inch pad size,  
2
(Cu Area 1.127 in ).  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 7 of this data sheet.  
2. When surface mounted to an FR4 board using minimum recommended pad  
2
size, (Cu Area 0.412 in ).  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
September, 2004 − Rev. 6  
NTD85N02R/D  
 
1234567...10

中文翻译

下载PDF

NTD85N02RT4G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTD4905NT4G ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET 30 V, 67 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK
NTD110N02RT4G ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET
STD95N2LH5 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-channel 25 V - 0.0038 ヘ - 80 A - DPAK - IPA

与NTD85N02RT4G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTD95N02R ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 95 Amps, 24 Volts N−Channel DPAK
NTD95N02R-001 ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 95 Amps, 24 Volts N−Channel DPAK
NTD95N02R-001G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 95 Amps, 24 Volts N−Channel DPAK
NTD95N02RG ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 95 Amps, 24 Volts N−Channel DPAK
NTD95N02RT4 ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 95 Amps, 24 Volts N−Channel DPAK
NTD95N02RT4G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 95 Amps, 24 Volts N−Channel DPAK
NTD985 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126VAR
NTD986 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126VAR
NTD987 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 400V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220AB
NTDM-110-14 TECHNOLOGY

获取价格

 		SWITCHING POWER SUPPLIES

与NTD85N02RT4G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证