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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | LEAD FREE, CASE 369D-01, DPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.27 | 雪崩能效等级（Eas）： | 60 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 25 V | 最大漏极电流 (ID)： | 32 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0105 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NTD60N02RG | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 62 A, 24 V, N−Channel, DPAK |
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| NTD60N02RG | ROCHESTER |
获取价格 |
32A, 25V, 0.0105ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369AA-01, DPAK-3 |
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| NTD60N02RT4 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 62 A, 24 V, N−Channel, DPAK |
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| NTD60N02RT4 | ROCHESTER |
获取价格 |
32A, 25V, 0.0105ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369AA-01, DPAK-3 |
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| NTD60N02RT4G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 62 A, 24 V, N−Channel, DPAK |
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| NTD60N02RT4G | ROCHESTER |
获取价格 |
32A, 25V, 0.0105ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369AA-01, DPAK-3 |
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| NTD60N03 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 60 Amps, 28 Volts |
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| NTD60N03-1 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 60 Amps, 28 Volts |
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| NTD60N03T4 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 60 Amps, 28 Volts |
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| NTD6414AN | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET 100 V, 32 A, 37 mΩ |
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