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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTD4965NT4G
NTD4965NT4G PDF预览

NTD4965NT4G

更新时间： 2024-11-06 10:30:31
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC
页数 文件大小 规格书
7页 107K
描述
Power MOSFET 30 V, 68 A, Single N?Channel, DPAK/IPAK

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NTD4965NT4G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Lifetime Buy
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：4 weeks风险等级：0.55
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：677637Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：MOSFET (N-Channel)Samacsys Package Category：Other
Samacsys Footprint Name：NTD4965NT4G-2Samacsys Released Date：2019-05-17 11:42:36
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：60 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：68 A
最大漏极电流 (ID)：13 A最大漏源导通电阻：0.01 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：38.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：248 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTD4965NT4G 数据手册

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NTD4965N  
Power MOSFET  
30 V, 68 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK  
Features  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
DS(on)  
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses  
• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses  
• Three Package Variations for Design Flexibility  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
http://onsemi.com  
V
R
DS(ON)  
MAX  
I
D
MAX  
(BR)DSS  
4.7 mW @ 10 V  
10 mW @ 4.5 V  
30 V  
68 A  
Applications  
• CPU Power Delivery  
• DC−DC Converters  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
30  
Unit  
G
V
V
V
A
DSS  
V
20  
GS  
S
Continuous Drain  
Current R  
I
D
T = 25°C  
17.8  
A
N−CHANNEL MOSFET  
q
JA  
T = 100°C  
A
12.6  
2.6  
(Note 1)  
4
Power  
T = 25°C  
A
P
W
A
4
D
D
D
Dissipation R  
(Note 1)  
q
JA  
4
Continuous Drain  
Current R  
I
D
T = 25°C  
A
13.0  
9.2  
2
1
q
JA  
1
T = 100°C  
A
1
2
(Note 2)  
3
Steady  
State  
3
2
3
Power  
T = 25°C  
A
P
I
1.39  
W
A
CASE 369AC  
3 IPAK  
(Straight Lead)  
CASE 369AA  
DPAK  
(Bent Lead)  
STYLE 2  
CASE 369D  
IPAK  
(Straight Lead  
DPAK)  
Dissipation R  
(Note 2)  
q
JA  
Continuous Drain  
Current R  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
68  
48  
D
C
q
JC  
T
C
(Note 1)  
Power  
T
C
P
38.5  
W
A
MARKING DIAGRAMS  
& PIN ASSIGNMENTS  
Dissipation R  
(Note 1)  
q
JC  
4
Pulsed Drain  
Current  
t =10ms  
p
T = 25°C  
A
I
DM  
248  
76  
Drain  
4
4
Drain  
Drain  
Current Limited by Package  
T = 25°C  
A
I
A
DmaxPkg  
Operating Junction and Storage  
Temperature  
T ,  
STG  
−55 to  
+175  
°C  
J
T
Source Current (Body Diode)  
Drain to Source dV/dt  
I
35  
6.0  
39  
A
S
dV/dt  
EAS  
V/ns  
mJ  
2
1
2
3
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
Energy (T = 25°C, V = 24 V, V = 10 V,  
Drain  
1
3
Gate Drain Source  
Gate Source  
J
DD  
GS  
1
2
3
I = 28 A , L = 0.1 mH, R = 25 W)  
L
pk  
G
Gate Drain Source  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8” from case for 10 s)  
T
L
260  
°C  
Y
= Year  
WW  
= Work Week  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
4965N = Device Code  
= Pb−Free Package  
G
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 sq−in pad, 1 oz Cu.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 3 of this data sheet.  
2. Surface−mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
April, 2011 − Rev. 1  
NTD4965N/D  
 
1234567

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NTD4965NT4G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTD4960NT4G ONSEMI

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTD4969N ONSEMI

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 		Power MOSFET 30 V, 41 A, Single N?Channel, DPAK/IPAK CPU Power Delivery
NTD4969N-1G ONSEMI

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 		Power MOSFET 30 V, 41 A, Single N?Channel, DPAK/IPAK CPU Power Delivery
NTD4969N-35G ONSEMI

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 		Power MOSFET 30 V, 41 A, Single N?Channel, DPAK/IPAK CPU Power Delivery
NTD4969NT4G ONSEMI

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 		Power MOSFET 30 V, 41 A, Single N?Channel, DPAK/IPAK CPU Power Delivery
NTD4970N ONSEMI

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 		Power MOSFET 30 V, 36 A, Single N−Channel,
NTD4970N-1G ONSEMI

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 		30 V, 36 A, Single N.Channel, DPAK/IPAK
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 		30 V, 36 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK
NTD4970NT4G ONSEMI

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 		单 N 沟道，功率 MOSFET，30V，36A，11mΩ
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 		POWER, FET
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 		POWER, FET

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