5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTD4963N-1G
NTD4963N-1G PDF预览

NTD4963N-1G

更新时间： 2024-09-16 06:00:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
7页 142K
描述
Power MOSFET 30 V, 44 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK

阅读下载

中文翻译

获取价格

NTD4963N-1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE369AC-01, IPAK-3针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.64Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：33.8 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：44 A最大漏极电流 (ID)：8.1 A
最大漏源导通电阻：0.016 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：35.7 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：132 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTD4963N-1G 数据手册

 浏览型号NTD4963N-1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NTD4963N-1G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NTD4963N-1G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NTD4963N-1G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NTD4963N-1G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NTD4963N-1G的Datasheet PDF文件第7页 
NTD4963N  
Power MOSFET  
30 V, 44 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK  
Features  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
DS(on)  
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses  
• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses  
• Three Package Variations for Design Flexibility  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
http://onsemi.com  
V
R
MAX  
I
D
MAX  
(BR)DSS  
DS(ON)  
9.6 mW @ 10 V  
16 mW @ 4.5 V  
30 V  
Applications  
44 A  
• CPU Power Delivery  
• DC−DC Converters  
• Recommended for High Side (Control)  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
30  
Unit  
G
V
DSS  
V
V
A
V
GS  
20  
S
Continuous Drain  
Current R  
I
D
T = 25°C  
10.0  
N−CHANNEL MOSFET  
A
q
JA  
T = 85°C  
A
7.2  
(Note 1)  
Power Dissipation  
(Note 1)  
4
4
T = 25°C  
A
P
D
1.64  
W
A
4
R
q
JA  
Continuous Drain  
Current R  
ID  
T = 25°C  
A
8.1  
5.8  
1.1  
q
JA  
2
1
1
T = 85°C  
A
Steady  
State  
(Note 2)  
1
2
3
3
2
3
Power Dissipation  
T = 25°C  
A
P
I
W
A
D
CASE 369AC  
3 IPAK  
(Straight Lead)  
R
(Note 2)  
CASE 369AA  
DPAK  
(Bent Lead)  
STYLE 2  
CASE 369D  
IPAK  
(Straight Lead  
DPAK)  
q
JA  
Continuous Drain  
Current R  
T
C
T
C
T
C
= 25°C  
= 85°C  
= 25°C  
44  
32  
D
q
JC  
(Note 1)  
Power Dissipation  
(Note 1)  
P
D
35.7  
W
A
R
q
MARKING DIAGRAMS  
& PIN ASSIGNMENTS  
JC  
Pulsed Drain  
Current  
t =10ms  
p
T = 25°C  
A
I
DM  
132  
35  
4
Drain  
Current Limited by Package  
T = 25°C  
A
I
A
DmaxPkg  
4
4
Drain  
Drain  
Operating Junction and Storage  
Temperature  
T ,  
−55 to  
+175  
°C  
J
T
STG  
Source Current (Body Diode)  
Drain to Source dV/dt  
I
30  
6.0  
A
S
dV/dt  
EAS  
V/ns  
mJ  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
Energy (T = 25°C, V = 50 V, V = 10 V,  
33.8  
J
DD  
GS  
2
1
2
3
I = 26 A , L = 0.1 mH, R = 25 W)  
L
pk  
G
Drain  
1
3
Gate Drain Source  
Gate Source  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8” from case for 10 s)  
T
L
260  
°C  
1
2
3
Gate Drain Source  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
Y
WW  
= Year  
= Work Week  
4963N = Device Code  
= Pb−Free Package  
G
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 sq−in pad, 1 oz Cu.  
2. Surface−mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 3 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
December, 2009 − Rev. 0  
NTD4963N/D  
 
1234567

中文翻译

下载PDF

NTD4963N-1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTD4965N-35G ONSEMI

功能相似

 Power MOSFET 30 V, 68 A, Single N?Channel, DPAK/IPAK
NTD4963N-35G ONSEMI

功能相似

 Power MOSFET 30 V, 44 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK
NTD4963NT4G ONSEMI

功能相似

 Power MOSFET 30 V, 44 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK

与NTD4963N-1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTD4963N-35G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 30 V, 44 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK
NTD4963NT4G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 30 V, 44 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK
NTD4965N ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 30 V, 68 A, Single N?Channel, DPAK/IPAK
NTD4965N-1G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 30 V, 68 A, Single N?Channel, DPAK/IPAK
NTD4965N-35G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 30 V, 68 A, Single N?Channel, DPAK/IPAK
NTD4965NT4G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 30 V, 68 A, Single N?Channel, DPAK/IPAK
NTD4969N ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 30 V, 41 A, Single N?Channel, DPAK/IPAK CPU Power Delivery
NTD4969N-1G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 30 V, 41 A, Single N?Channel, DPAK/IPAK CPU Power Delivery
NTD4969N-35G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 30 V, 41 A, Single N?Channel, DPAK/IPAK CPU Power Delivery
NTD4969NT4G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 30 V, 41 A, Single N?Channel, DPAK/IPAK CPU Power Delivery

与NTD4963N-1G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证