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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTD4960N-35G
NTD4960N-35G PDF预览

NTD4960N-35G

更新时间： 2024-09-15 06:00:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
7页 143K
描述
Power MOSFET 30 V, 55 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK

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NTD4960N-35G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE369D-01, IPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.15
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：51.2 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：8.9 A
最大漏源导通电阻：0.0127 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：137 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTD4960N-35G 数据手册

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NTD4960N  
Advance Information  
Power MOSFET  
30 V, 55 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK  
Features  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
http://onsemi.com  
DS(on)  
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses  
• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses  
• Three Package Variations for Design Flexibility  
V
R
MAX  
I
D
MAX  
(BR)DSS  
DS(ON)  
8.0 mW @ 10 V  
30 V  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
55 A  
12.7 mW @ 4.5 V  
Compliant  
Applications  
D
• CPU Power Delivery  
• DC−DC Converters  
• Recommended for High Side (Control)  
G
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
S
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
30  
Unit  
N−CHANNEL MOSFET  
V
DSS  
V
V
A
V
GS  
20  
4
4
Continuous Drain  
Current R  
I
D
T = 25°C  
11.1  
A
4
q
JA  
T = 85°C  
A
8.0  
(Note 1)  
Power Dissipation  
(Note 1)  
2
T = 25°C  
A
P
D
1.68  
W
A
1
1
1
2
R
3
q
JA  
3
2
3
Continuous Drain  
Current R  
ID  
T = 25°C  
A
8.9  
6.4  
CASE 369AC  
3 IPAK  
(Straight Lead)  
CASE 369AA  
DPAK  
(Bent Lead)  
STYLE 2  
CASE 369D  
IPAK  
(Straight Lead  
DPAK)  
q
JA  
T = 85°C  
A
Steady  
State  
(Note 2)  
Power Dissipation  
(Note 2)  
T = 25°C  
A
P
I
1.07  
W
A
D
D
R
q
JA  
Continuous Drain  
Current R  
T
C
T
C
T
C
= 25°C  
= 85°C  
= 25°C  
55  
40  
D
MARKING DIAGRAMS  
& PIN ASSIGNMENTS  
q
JC  
(Note 1)  
Power Dissipation  
(Note 1)  
P
35.71  
W
A
4
R
Drain  
q
JC  
4
4
Drain  
Pulsed Drain  
Current  
t =10ms  
p
T = 25°C  
A
I
DM  
137  
45  
Drain  
Current Limited by Package  
T = 25°C  
A
I
A
DmaxPkg  
Operating Junction and Storage  
Temperature  
T ,  
STG  
−55 to  
+175  
°C  
J
T
Source Current (Body Diode)  
Drain to Source dV/dt  
I
29.7  
6
A
S
2
1
2
3
Drain  
dV/dt  
EAS  
V/ns  
mJ  
1
3
Gate Drain Source  
Gate Source  
1
2
3
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
Energy (T = 25°C, V = 50 V, V = 10 V,  
84.5  
Gate Drain Source  
J
DD  
GS  
I = 13 A , L = 1.0 mH, R = 25 W)  
L
pk  
G
Y
WW  
= Year  
= Work Week  
4960N = Device Code  
= Pb−Free Package  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8” from case for 10 s)  
T
260  
°C  
L
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
G
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 3 of this data sheet.  
This document contains information on a new product. Specifications and information  
herein are subject to change without notice.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
August, 2009 − Rev. P1  
NTD4960N/D  
1234567

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NTD4960N-35G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTD4960N-1G ONSEMI

完全替代

 Power MOSFET 30 V, 55 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK
NTD4965N-35G ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET 30 V, 68 A, Single N?Channel, DPAK/IPAK
NTD6416ANL-1G ONSEMI

类似代替

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTD4960NT4G ONSEMI

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