Datasheet > NT5CB128M16JR-EK

NT5CB128M16JR-EK

更新时间： 2024-01-08 22:54:21

品牌	Logo	应用领域
南亚科技 - NANYA		动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
157页	4916K
描述
Commercial and Industrial DDR3(L) 2Gb SDRAM

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NT5CB128M16JR-EK 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	TFBGA-96	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.29	访问模式：	MULTI BANK PAGE BURST
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PBGA-B96
长度：	13 mm	内存密度：	2147483648 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	96	字数：	134217728 words
字数代码：	128000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	95 °C	最低工作温度：
组织：	128MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	1.575 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.425 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.5 mm	Base Number Matches：	1

NT5CB128M16JR-EK 数据手册

NTC Proprietary

Level: Property

DDR3(L)-2Gb J-Die

NT5CB(C)256M8JQ/NT5CB(C)128M16JR

Commercial and Industrial DDR3(L) 2Gb SDRAM

Features



Signal Integrity



Basis DDR3 Compliant

- Configurable DS for system compatibility

- Configurable On-Die Termination

- 8n Prefetch Architecture

- Differential Clock(CK/) and Data Strobe(DQS/)

- Double-data rate on DQs, DQS and DM

Data Integrity

- ZQ Calibration for DS/ODT impedance accuracy via

external ZQ pad (240 ohm ± 1%)



Signal Synchronization

- Write Leveling via MR settings ⁵

- Auto Self Refresh (ASR) by DRAM built-in TS

- Auto Refresh and Self Refresh Modes

Power Saving Mode

- Read Leveling via MPR

Interface and Power Supply

- Power Down Mode

- SSTL_15 for DDR3:VDD/VDDQ=1.5V(±0.075V)

- SSTL_135³for DDR3L:VDD/VDDQ=1.35V(-0.067/+0.1V)

Programmable Functions



CAS Latency (6/7/8/9/10/11/13/14)

CAS Write Latency (5/6/7/8/9/10)



Self RefreshTemperature Range(Normal/Extended)

Output Driver Impedance (34/40)

Additive Latency (0/CL-1/CL-2)

On-Die Termination of Rtt_Nom(20/30/40/60/120)

On-Die Termination of Rtt_WR(60/120)

Precharge Power Down (slow/fast)

Write Recovery Time (5/6/7/8/10/12/14/16)

Burst Type (Sequential/Interleaved)

Burst Length (BL8/BC4/BC4 or 8 on the fly)

Option

 Speed Grade (CL-TRCD-TRP) ¹

 Temperature Range (T_c) ^3,6

- 2133 Mbps / 14-14-14

- 1866 Mbps / 13-13-13

- 1600 Mbps / 11-11-11

- Commercial Grade : 0℃~95℃

- Quasi Industrial Grade (-T) : -40℃~95℃

- Industrial Grade (-I) : -40℃~95℃

 Package Informatiom

 Density and Addressing

Lead-free RoHS compliance and Halogen-free

Organization

256Mb x 8

128Mb x 16

TFBGA

Length x Width

(mm)

Ball pitch

(mm)

Bank Address

Auto precharge

BL switch on the fly

Row Address

Column Address

Page Size

BA0 – BA2

A10 / AP

A12 / 

A0 – A14

A0 – A9

1KB

BA0 – BA2

A10 / AP

A12 / 

A0 – A13

A0 – A9

2KB

Package

7.50 x 10.50

7.50 x 13.00

0.80

78-Ball

96-Ball

tREFI(us) ³

Tc<=85℃:7.8, Tc>85℃:3.9

160ns

tRFC(ns) ⁴

NOTE 1 Please refer to ordering information for the detail.

NOTE 2 1.35V DDR3L are backward compatible to 1.5V DDR3 parts. Please refer to page 5 operating frequency table.1.35V DDR3L-RS parts are exceptional

and unallowable to be compatible to 1.35V DDR3L and 1.5V DDR3 parts.

NOTE 3 If T_Cexceeds 85°C, the DRAM must be refreshed externally at 2x refresh, which is a 3.9us interval refresh rate. Extended SRT or ASR must be enabled.

NOTE 4 Violating tRFC specification will induce malfunction.

NOTE 5 Only Support prime DQ’s feedback for each byte lane.

NOTE 6 When operate above 95℃,AC/DC will be derated (increased) and reliability may be affected.

Version 1.5

04/2019

NTC has the rights to change any specifications or product without notification.

12 3 4 5 6 7...157

中文翻译

下载PDF

与NT5CB128M16JR-EK相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NT5CB128M16JR-EKA	NANYA	获取价格	Automotive DDR3(L) 2Gb SDRAM
NT5CB128M16JR-EKB	NANYA	获取价格	Commercial and Industrial DDR3(L) 2Gb SDRAM
NT5CB128M16JR-EKH	NANYA	获取价格	Automotive DDR3(L) 2Gb SDRAM
NT5CB128M16JR-EKI	NANYA	获取价格	Commercial and Industrial DDR3(L) 2Gb SDRAM
NT5CB128M16JR-EKNA	NANYA	获取价格	Commercial and Industrial DDR3(L) 2Gb SDRAM
NT5CB128M16JR-EKT	NANYA	获取价格	Commercial and Industrial DDR3(L) 2Gb SDRAM
NT5CB128M16JR-FL	NANYA	获取价格	Commercial and Industrial DDR3(L) 2Gb SDRAM
NT5CB128M16JR-FLA	NANYA	获取价格	Automotive DDR3(L) 2Gb SDRAM
NT5CB128M16JR-FLB	NANYA	获取价格	Commercial and Industrial DDR3(L) 2Gb SDRAM
NT5CB128M16JR-FLH	NANYA	获取价格	Automotive DDR3(L) 2Gb SDRAM

与NT5CB128M16JR-EK相关文章

RF5110数据手册详解：3V GSM射频功率放大器的深度分析
2024-07-12

8
REF1004-1.2手册详解：引脚信息、产品描述、参数分析
2024-07-12

7
晶闸管的静态特性与伏安特性详解
2024-07-11

11
贴片电容的工作原理与参数识别
2024-07-11

16

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NT5CB128M16JR-EK

NT5CB128M16JR-EK 技术参数

NT5CB128M16JR-EK 数据手册

与NT5CB128M16JR-EK相关器件

与NT5CB128M16JR-EK相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NT5CB128M16JR-EK

NT5CB128M16JR-EK 技术参数

NT5CB128M16JR-EK 数据手册

与NT5CB128M16JR-EK相关器件

与NT5CB128M16JR-EK相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？