是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | VFBGA, BGA96,9X16,32 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.26 |
访问模式: | MULTI BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 0.195 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 933 MHz |
I/O 类型: | COMMON | 交错的突发长度: | 4,8 |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B96 | 长度: | 13 mm |
内存密度: | 2147483648 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 96 |
字数: | 134217728 words | 字数代码: | 128000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 128MX16 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | VFBGA | 封装等效代码: | BGA96,9X16,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 1.5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 8192 |
座面最大高度: | 1 mm | 自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 4,8 | 最大待机电流: | 0.015 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.25 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 1.575 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.425 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 8 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NT5CB128M16IP-EKNA | NANYA |
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Commercial, Industrial and Automotive DDR3(L) 2Gb SDRAM | |
NT5CB128M16IP-EKT | NANYA |
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Commercial, Industrial and Automotive DDR3(L) 2Gb SDRAM | |
NT5CB128M16IP-FL | NANYA |
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Commercial, Industrial and Automotive DDR3(L) 2Gb SDRAM | |
NT5CB128M16IP-FLA | NANYA |
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Commercial, Industrial and Automotive DDR3(L) 2Gb SDRAM | |
NT5CB128M16IP-FLB | NANYA |
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Commercial, Industrial and Automotive DDR3(L) 2Gb SDRAM | |
NT5CB128M16IP-FLH | NANYA |
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Commercial, Industrial and Automotive DDR3(L) 2Gb SDRAM | |
NT5CB128M16IP-FLI | NANYA |
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Commercial, Industrial and Automotive DDR3(L) 2Gb SDRAM | |
NT5CB128M16IP-FLNA | NANYA |
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Commercial, Industrial and Automotive DDR3(L) 2Gb SDRAM | |
NT5CB128M16IP-FLT | NANYA |
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Commercial, Industrial and Automotive DDR3(L) 2Gb SDRAM | |
NT5CB128M16JQ-DIA | NANYA |
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Automotive DDR3(L) 2Gb SDRAM |