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NSVBCP69T1G

更新时间： 2024-11-30 11:01:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 101K
描述
PNP 双极晶体管

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NSVBCP69T1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：,针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.53最大集电极电流 (IC)：1 A
配置：Single最小直流电流增益 (hFE)：85
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：1.5 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
Base Number Matches：1

NSVBCP69T1G 数据手册

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BCP69T1  
PNP Silicon  
Epitaxial Transistor  
This PNP Silicon Epitaxial Transistor is designed for use in low  
voltage, high current applications. The device is housed in the  
SOT−223 package, which is designed for medium power surface  
mount applications.  
http://onsemi.com  
Features  
MEDIUM POWER  
PNP SILICON  
HIGH CURRENT  
TRANSISTOR  
• High Current: I = −1.0 A  
• The SOT−223 Package can be soldered using wave or reflow.  
• SOT−223 package ensures level mounting, resulting in improved  
thermal conduction, and allows visual inspection of soldered joints.  
The formed leads absorb thermal stress during soldering, eliminating  
the possibility of damage to the die.  
C
SURFACE MOUNT  
• NPN Complement is BCP68  
• Pb−Free Package is Available  
COLLECTOR 2,4  
BASE  
1
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Collector Current  
Symbol Value  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
EMITTER 3  
V
V
V
−20  
−25  
−5.0  
−1.0  
CEO  
CBO  
EBO  
MARKING  
DIAGRAM  
4
I
C
1
2
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 1)  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
W
mW/°C  
A
AYW  
CEG  
3
SOT−223 (TO−261)  
CASE 318E  
G
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
−65 to  
150  
°C  
J
stg  
STYLE 1  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
CE = Specific Device Code  
A
Y
W
G
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
Thermal Resistance − Junction−to−Ambient  
R
83.3  
°C/W  
q
JA  
(Surface Mounted)  
Lead Temperature for Soldering,  
0.0625 in from case  
Time in Solder Bath  
T
260  
10  
°C  
= Pb−Free Package  
L
(Note: Microdot may be in either location)  
Sec  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Device mounted on a glass epoxy printed circuit board 1.575 in. x 1.575 in.  
x 0.059 in.; mounting pad for the collector lead min. 0.93 sq. in.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
BCP69T1  
SOT−223  
1000 / Tape & Reel  
1000 / Tape & Reel  
BCP69T1G  
SOT−223  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2008  
1
Publication Order Number:  
October, 2008 − Rev. 8  
BCP69T1/D  
 
1234

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