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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> NSL12AWT1
NSL12AWT1 PDF预览

NSL12AWT1

更新时间： 2024-09-18 03:45:55
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体电池小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 49K
描述
High Current Surface Mount PNP Silicon Low VCE(sat) Transistor for Battery Operated Applications

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NSL12AWT1 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：SC-88包装说明：SC-88, 6 PIN
针数：6Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.3Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：12 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.65 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

NSL12AWT1 数据手册

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NSL12AW  
High Current Surface Mount  
PNP Silicon Low VCE(sat)  
Transistor for Battery  
Operated Applications  
Features:  
http://onsemi.com  
• High Current Capability (3 A)  
• High Power Handling (Up to 650 mW)  
12 VOLTS  
3.0 AMPS  
PNP TRANSISTOR  
• Low V  
(170 mV Typical @ 1 A)  
CE(s)  
• Small Size  
Benefits:  
• High Specific Current and Power Capability Reduces Required PCB Area  
• Reduced Parasitic Losses Increases Battery Life  
COLLECTOR  
1, 2, 5, 6  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C)  
3
A
BASE  
Rating  
Symbol  
Max  
–12  
–12  
–5.0  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
4
EMITTER  
Collector Current – Continuous  
Collector Current – Peak  
I
C
–2.0  
–3.0  
4
I
5
6
CM  
Electrostatic Discharge  
ESD  
HBM Class 3  
MM Class C  
3
2
1
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
CASE 419B  
SOT–363/SC–88  
STYLE 20  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation  
T = 25°C  
A
P
(Note 1)  
450  
mW  
D
Derate above 25°C  
3.6  
mW/°C  
°C/W  
Thermal Resistance,  
Junction to Ambient  
R
(Note 1)  
275  
θ
JA  
DEVICE MARKING  
Total Device Dissipation  
P
D
(Note 2)  
650  
mW  
T = 25°C  
A
Derate above 25°C  
5.2  
mW/°C  
°C/W  
d
11  
Thermal Resistance,  
Junction to Ambient  
R
(Note 2)  
192  
θ
JA  
Thermal Resistance,  
Junction to Lead 6  
R
105  
1.4  
°C/W  
W
θ
JL  
11 = Specific Device Code  
d
= Date Code  
Total Device Dissipation  
(Single Pulse < 10 sec.)  
P Single  
D
ORDERING INFORMATION  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
–55 to  
+150  
°C  
J
stg  
Device  
NSL12AWT1  
Package  
Shipping  
3000/Tape & Reel  
1. FR–4, Minimum Pad, 1 oz Coverage  
2. FR–4, 1″ Pad, 1 oz Coverage  
SOT–416  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2002  
1
Publication Order Number:  
April, 2002 – Rev. 1  
NSL12AW/D  
1234

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NSL12AWT1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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