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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PDIP-T8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.86 | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| FET 技术： | JUNCTION | JESD-30 代码： | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.325 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Small Signal | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| NPD8301 | TI | NPD8301 |
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| NPD8301 | NSC | TRANSISTOR,JFET,N-CHANNEL, DUAL,6MA I(DSS),DIP |
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| NPD8302 | NSC | TRANSISTOR,JFET,N-CHANNEL, DUAL,6MA I(DSS),DIP |
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| NPD8302 | TI | TRANSISTOR,JFET,N-CHANNEL, DUAL,6MA I(DSS),DIP |
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| NPD8303 | NSC | TRANSISTOR 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal |
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| NPD8304 | NSC | NPD8304 |
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