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LH4010

更新时间: 2024-01-03 20:12:44
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美国国家半导体 - NSC /
页数 文件大小 规格书
8页 233K
描述
FAST FET BUFFER

LH4010 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TO-8, QUAD12,.4SQReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.33.00.01
风险等级:5.22Is Samacsys:N
放大器类型:BUFFER最大平均偏置电流 (IIB):0.01 µA
标称带宽 (3dB):200 MHz最大输入失调电压:25000 µV
JESD-30 代码:O-MBCY-W12JESD-609代码:e0
负供电电压上限:-20 V标称负供电电压 (Vsup):-15 V
功能数量:1端子数量:12
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:METAL封装代码:TO-8
封装等效代码:QUAD12,.4SQ封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:+-15 V认证状态:Not Qualified
最小摆率:2000 V/us标称压摆率:2500 V/us
子类别:Buffer Amplifier最大压摆率:26 mA
供电电压上限:20 V标称供电电压 (Vsup):15 V
表面贴装:NO技术:BIPOLAR
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子节距:2.54 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

LH4010 数据手册

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