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2N6717-18

更新时间: 2024-02-24 03:53:39
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美国国家半导体 - NSC 放大器晶体管
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1页 24K
描述
TRANSISTOR 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal

2N6717-18 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.67基于收集器的最大容量:30 pF
集电极-发射极最大电压:80 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):50JESD-30 代码:O-PBCY-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:2 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):50 MHzVCEsat-Max:0.5 V
Base Number Matches:1

2N6717-18 数据手册

  

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