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2N6040

更新时间: 2024-02-24 14:18:57
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美国国家半导体 - NSC 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 117K
描述
TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,PNP,60V V(BR)CEO,8A I(C),TO-220AB

2N6040 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.67
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):8 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE):1000JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:PNP功耗环境最大值:75 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):4 MHzBase Number Matches:1

2N6040 数据手册

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