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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.69 |
| FET 技术： | JUNCTION | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.36 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N555 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-3 |
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| 2N5550 | ONSEMI | mplifier Transistors(NPN Silicon) |
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| 2N5550 | NXP | NPN high-voltage transistors |
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| 2N5550 | SAMSUNG | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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| 2N5550 | SEMTECH | NPN Silicon Expitaxial Planar Transistor for general purpose, high voltage amplifier appli |
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| 2N5550 | FAIRCHILD | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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