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2N5354

更新时间: 2024-01-30 02:44:49
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美国国家半导体 - NSC /
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1页 37K
描述
TRANSISTOR,BJT,PNP,25V V(BR)CEO,500MA I(C),TO-92

2N5354 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.54最大集电极电流 (IC):0.5 A
基于收集器的最大容量:8 pF集电极-发射极最大电压:25 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):40
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-W3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.62 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):250 MHzBase Number Matches:1

2N5354 数据手册

  

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