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2N4927

更新时间: 2024-01-10 18:54:36
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美国国家半导体 - NSC /
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1页 35K
描述
TRANSISTOR,BJT,PNP,250V V(BR)CEO,50MA I(C),TO-39

2N4927 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-39
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数:3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.4
集电极-发射极最大电压:250 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20JEDEC-95代码:TO-39
JESD-30 代码:O-MBCY-W3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:MATTE TIN (315)
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):30 MHzBase Number Matches:1

2N4927 数据手册

  

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