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2N4139

更新时间: 2024-02-21 04:25:13
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 41K
描述
TRANSISTOR,JFET,N-CHANNEL,50V V(BR)DSS,11MA I(DSS),TO-18

2N4139 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.69FET 技术:JUNCTION
JESD-609代码:e0最高工作温度:200 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):0.3 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

2N4139 数据手册

  

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